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NCE40P40K
IC

TO-252

可供量大可议

NCE40P40K

场效应管(MOSFET) 80W 40V 40A 1个P沟道

品牌

NCE

封装

TO-252

库存

12,442

货期

现货

NCE40P40K参数

封装TO-252
品牌NCE(新洁能)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)2.96nF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)370pF
分类场效应管(MOSFET)
库存12,442
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)80W
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
反向传输电容(Crss)310pF
类型P沟道

NCE40P40K概述

场效应管(MOSFET) 80W 40V 40A 1个P沟道

NCE40P40K特性

暂无产品特性。

NCE40P40K应用领域

暂无应用领域。

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