NCE40P15K
IC
TO-252-2
可供量大可议
NCE40P15K
1个P沟道 耐压:40V 电流:15A
品牌
NCE
封装
TO-252-2
库存
2,295
货期
现货
NCE40P15K参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE40P15K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00038 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2295 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 930pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:40V 电流:15A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE40P15K概述
NCE40P15K采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。 该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
NCE40P15K特性
- VDS = -40V, ID = -15A
- 在VGS = -10V时, RDS(ON) < 35mΩ
- 在VGS = -4.5V时, RDS(ON) < 45mΩ
- 高密度单元设计, 实现超低Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 出色的封装, 散热性能良好
NCE40P15K应用领域
- 负载开关-PWM应用