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NCE40H12K
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IC

TO-252-2(DPAK)

NCE40H12K

场效应管(MOSFET) 120W 40V 120A 1个N沟道

品牌

NCE

封装

TO-252-2(DPAK)

交期

现货

批次

两年内

NCE40H12K参数

封装TO-252-2(DPAK)
品牌NCE(新洁能)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)5.4nF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)970pF
分类场效应管(MOSFET)
库存25,810
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)120W
栅极电荷量(Qg)75nC@10V
反向传输电容(Crss)380pF
类型N沟道

NCE40H12K概述

场效应管(MOSFET) 120W 40V 120A 1个N沟道

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