NCE40H12I
IC
TO-251
可供量大可议
NCE40H12I
NCE40H12I采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。
品牌
NCE
封装
TO-251
库存
29
货期
现货
NCE40H12I参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 29 |
NCE40H12I概述
NCE40H12I采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。
NCE40H12I特性
暂无产品特性。
NCE40H12I应用领域
暂无应用领域。