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NCE4009S
IC

SOIC-8_150mil

可供量大可议

NCE4009S

场效应管(MOSFET) 2W 40V 9A 1个N沟道

品牌

NCE

封装

SOIC-8_150mil

库存

41,663

货期

现货

NCE4009S参数

封装SOIC-8_150mil
品牌NCE(新洁能)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))12.9mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)964pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)109pF
分类场效应管(MOSFET)
库存41,663
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)22.9nC@10V
反向传输电容(Crss)96pF
类型N沟道

NCE4009S概述

场效应管(MOSFET) 2W 40V 9A 1个N沟道

NCE4009S特性

暂无产品特性。

NCE4009S应用领域

暂无应用领域。

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