NCE3406N
IC
SOT-23-6
可供量大可议
NCE3406N
NCE3406N采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
NCE
封装
SOT-23-6
库存
2,360
货期
现货
NCE3406N参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2360 |
NCE3406N概述
NCE3406N采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
NCE3406N特性
暂无产品特性。
NCE3406N应用领域
暂无应用领域。