NCE30TD60BD
Available可供
IC
TO-263
NCE30TD60BD
采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术， 600V沟槽FS II IGBT具备卓越的导通和开关性能， 且易于并联运行。
Brand
NCE
Package
TO-263
交期
现货
Date Code
24+
NCE30TD60BDParameters
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 24+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@30A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 106pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns |
| 导通损耗(Eon) | 360uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 178ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 3.552nF |
| 反向传输电容(Cres) | 67pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 166ns |
| 关断损耗(Eoff) | 320uJ |
NCE30TD60BD概述
采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术， 600V沟槽FS II IGBT具备卓越的导通和开关性能， 且易于并联运行。