NCE30P20Q
IC
DFN3.3X3.3-8L
可供量大可议
NCE30P20Q
场效应管(MOSFET) 35W 30V 20A 1个P沟道
品牌
NCE
封装
DFN3.3X3.3-8L
库存
10,895
货期
现货
NCE30P20Q参数
| 封装 | DFN3.3X3.3-8L |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,895 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 栅极电荷量(Qg) | 45.6nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 227pF |
NCE30P20Q概述
场效应管(MOSFET) 35W 30V 20A 1个P沟道
NCE30P20Q特性
暂无产品特性。
NCE30P20Q应用领域
暂无应用领域。