NCE30NP1812K
IC
TO-252-4
可供量大可议
NCE30NP1812K
使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关， 以及其他多种应用。
品牌
NCE
封装
TO-252-4
库存
955
货期
现货
NCE30NP1812K参数
| 封装 | TO-252-4 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 955 |
NCE30NP1812K概述
使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关， 以及其他多种应用。
NCE30NP1812K特性
暂无产品特性。
NCE30NP1812K应用领域
暂无应用领域。