NCE30D2519K
IC
TO-252-4
可供量大可议
NCE30D2519K
NCE30D2519K采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
品牌
NCE
封装
TO-252-4
库存
318
货期
现货
NCE30D2519K参数
| 封装 | TO-252-4 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 318 |
NCE30D2519K概述
NCE30D2519K采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
NCE30D2519K特性
暂无产品特性。
NCE30D2519K应用领域
暂无应用领域。