NCE30D0808J
IC
DFN-6-EP(2x2)
可供量大可议
NCE30D0808J
NCE30D0808J采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 该器件适用于负载开关和脉宽调制（PWM）应用。
品牌
NCE
封装
DFN-6-EP(2x2)
库存
5
货期
现货
NCE30D0808J参数
| 封装 | DFN-6-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NCE30D0808J概述
NCE30D0808J采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 该器件适用于负载开关和脉宽调制（PWM）应用。
NCE30D0808J特性
暂无产品特性。
NCE30D0808J应用领域
暂无应用领域。