NCE3065Q
IC
DFN3*3
可供量大可议
NCE3065Q
NCE3065Q采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于多种领域。
品牌
NCE
封装
DFN3*3
库存
11,558
货期
现货
NCE3065Q参数
| 封装 | DFN3*3 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V； 6mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.784nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,558 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.4nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF |
| 类型 | N沟道 |
NCE3065Q概述
NCE3065Q采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于多种领域。
NCE3065Q特性
暂无产品特性。
NCE3065Q应用领域
暂无应用领域。