NCE3035G-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
NCE3035G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 80A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.5~2V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
3
货期
现货
NCE3035G-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
NCE3035G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 80A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.5~2V
NCE3035G-VB特性
暂无产品特性。
NCE3035G-VB应用领域
暂无应用领域。