NCE3020Q
自营可供
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
NCE3020Q
场效应管(MOSFET) 20W 30V 20A 1个N沟道
品牌
NCE
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
交期
现货
批次
26+
NCE3020Q参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 1nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 180.8pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:20A |
| 封装 | DFN3.3x3.3-8L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000128 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12,355 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC |
| 反向传输电容(Crss) | 164.4pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE3020Q |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE3020Q概述
场效应管(MOSFET) 20W 30V 20A 1个N沟道
NCE3020Q特性
- VDS = 30V, ID = 20A
- RDS(ON)< 8 m Ω(@ VGS=10 V)
- RDS(ON) < 12 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
- 高密度单元设计, 实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装, 散热性能良好
- 采用特殊工艺技术, 具备高ESD能力
NCE3020Q应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源