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NCE3007S
IC

SOIC-8_150mil

可供量大可议

NCE3007S

场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6.5A 1个P沟道

品牌

NCE

封装

SOIC-8_150mil

库存

23,479

货期

现货

NCE3007S参数

封装SOIC-8_150mil
品牌NCE(新洁能)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))42mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)520pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)100pF
分类场效应管(MOSFET)
库存23,479
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)3.1W
栅极电荷量(Qg)9.2nC@10V
反向传输电容(Crss)65pF
类型P沟道

NCE3007S概述

场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6.5A 1个P沟道

NCE3007S特性

暂无产品特性。

NCE3007S应用领域

暂无应用领域。

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