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NCE20P45Q
IC

DFN-8(3.3x3.3)

可供量大可议

NCE20P45Q

场效应管(MOSFET) 80W 19V 45A 1个P沟道

品牌

NCE

封装

DFN-8(3.3x3.3)

库存

22,579

货期

现货

NCE20P45Q参数

封装DFN-8(3.3x3.3)
品牌NCE(新洁能)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))400mV
输入电容(Ciss)3.5nF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存22,579
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)19V
耗散功率(Pd)80W
栅极电荷量(Qg)55nC@10V
反向传输电容(Crss)445pF

NCE20P45Q概述

场效应管(MOSFET) 80W 19V 45A 1个P沟道

NCE20P45Q特性

暂无产品特性。

NCE20P45Q应用领域

暂无应用领域。

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