NCE15TD60BD
自营可供
IC
TO-263
NCE15TD60BD
采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术， 600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能， 且易于并联运行。
品牌
NCE
封装
TO-263
交期
现货
批次
24+
NCE15TD60BD参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 24+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 45A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 1.635nF |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns |
| 关断损耗(Eoff) | 120uJ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | NCE15TD60BD |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.002205 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 集电极电流(Ic) | 30A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@15A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 50pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns |
| 导通损耗(Eon) | 250uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 170ns |
| 商品名称 | 600V、15A， Trench FSII 快速 IGBT |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | IGBT管/模块 |
NCE15TD60BD概述
采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术， 600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能， 且易于并联运行。