NCE10TD60BD
IC
TO-263
可供量大可议
NCE10TD60BD
使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术， 600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能， 且易于并联操作。
品牌
NCE
封装
TO-263
库存
684
货期
现货
NCE10TD60BD参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 24+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@10A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 40pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns |
| 导通损耗(Eon) | 210uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 158ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 684 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 集电极电流(Ic) | 20A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 1.127nF |
| 反向传输电容(Cres) | 24pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 73ns |
| 关断损耗(Eoff) | 110uJ |
NCE10TD60BD概述
使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术， 600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能， 且易于并联操作。
NCE10TD60BD特性
暂无产品特性。
NCE10TD60BD应用领域
暂无应用领域。