NCE01P18D-VB
IC
TO-263
可供量大可议
NCE01P18D-VB
台积电流片, 长电封测。 P沟道, -󗙻 򏟋 򏟋 V, -򬓹 𛾾 A, RDS(ON)󺺆 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 򏟋 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); -򘞟 Vth(V)封装:TO򘞟 𮧂 򬓹 适用于高压大电流、高效率要求的工业与电源管理场景; 如高边开关、电源极性保护、电池路径管理、工业电源与UPS系统等。
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
13
货期
现货
NCE01P18D-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
NCE01P18D-VB概述
台积电流片, 长电封测。 P沟道, -󗙻 򏟋 򏟋 V, -򬓹 𛾾 A, RDS(ON)󺺆 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 򏟋 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); -򘞟 Vth(V)封装:TO򘞟 𮧂 򬓹 适用于高压大电流、高效率要求的工业与电源管理场景; 如高边开关、电源极性保护、电池路径管理、工业电源与UPS系统等。
NCE01P18D-VB特性
暂无产品特性。
NCE01P18D-VB应用领域
暂无应用领域。