NCE0140AK2
自营可供
IC
TO-252-2L
NCE0140AK2
采用先进的沟槽技术和设计， 提供出色的导通电阻， 且栅极电荷低。 可用于多种应用。
品牌
NCE
封装
TO-252-2L
交期
现货
批次
—
NCE0140AK2参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE0140AK2 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000466667 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 176pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:40A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE0140AK2概述
NCE0140AK2采用先进的沟槽技术和设计, 可提供出色的RDS(ON)及低栅极电荷, 适用于多种应用场景。
NCE0140AK2特性
- VDS = 100V, ID = 40A
- RDS(ON)< 17 m Ω@ VGS=10 V (典型值:14 m Ω )
- RDS(ON) < 18 m Ω @ VGS = 4.5 V (典型值:15 m Ω )
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 采用高密度单元设计实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用散热性能良好的出色封装
NCE0140AK2应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源