NCE0130A-VB
IC
TO-220
可供量大可议
NCE0130A-VB
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 𢺫 𢺫 A, RDS(ON), 򬓹 𮧂 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 具有高性能和可靠性， 适用于各种功率电子应用。 其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力， 以及低阈值电压和漏极-源极电阻， 适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
品牌
VBsemi
封装
TO-220
库存
10
货期
现货
NCE0130A-VB参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
NCE0130A-VB概述
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 𢺫 𢺫 A, RDS(ON), 򬓹 𮧂 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 具有高性能和可靠性， 适用于各种功率电子应用。 其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力， 以及低阈值电压和漏极-源极电阻， 适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
NCE0130A-VB特性
暂无产品特性。
NCE0130A-VB应用领域
暂无应用领域。