NCE0110K
自营可供
IC
TO-252-2(DPAK)
NCE0110K
场效应管(MOSFET) 30W 100V 9.6A 1个N沟道
品牌
NCE
封装
TO-252-2(DPAK)
交期
现货
批次
26+
NCE0110K参数
| 封装 | TO-252-2(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 690pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:9.6A |
| 封装 | TO-252-2L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000547 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34,906 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE0110K |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE0110K概述
场效应管(MOSFET) 30W 100V 9.6A 1个N沟道
NCE0110K特性
- VDS = 100 V, ID = 9.6 A
- RDS(ON)< 140 m Ω(在 VGS=10 V 时, 典型值为 108 m Ω)
- 高密度单元设计, 实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术, 具备高ESD能力
NCE0110K应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源