NCE0110AK
Available可供
IC
TO-252-2L
NCE0110AK
NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。 它可用于多种应用场景。
Brand
NCE
Package
TO-252-2L
交期
现货
Date Code
两年内
NCE0110AKParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 980pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:10A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45,196 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@50V |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE0110AK |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00051 |
NCE0110AK概述
NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。 它可用于多种应用场景。
NCE0110AK特性
- VDS = 100 V, ID = 10 A
- RDS(ON) < 130 m Ω @ VGS = 10 V(典型值:95mΩ)
- RDS(ON) < 140 m Ω @ VGS = 4.5 V(典型值:100 m Ω)
- 高密度单元设计, 实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装, 散热性能良好
- 采用特殊工艺技术, 具备高ESD能力
NCE0110AK应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源