NCE0110AK
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NCE0110AK
NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。 它可用于多种应用场景。
品牌
NCE
封装
TO-252-2L
库存
45,196
货期
现货
NCE0110AK参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 980pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45,196 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@50V |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF |
NCE0110AK概述
NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。 它可用于多种应用场景。
NCE0110AK特性
暂无产品特性。
NCE0110AK应用领域
暂无应用领域。