NCD57090FDWR2G
IC
SOIC-8-WB
可供量大可议
NCD57090FDWR2G
NCx57090y、NCx57091y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器, 具有 5 kVrms 内部电流隔离, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 并根据引脚配置, 提供诸如有源米勒钳位(A/D/F 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C/E 版本)等选项, 方便系统设计。 该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用宽体 SOIC - 8 封装。
Brand
onsemi
Package
SOIC-8-WB
Stock
2
货期
现货
NCD57090FDWR2GParameters
| 封装 | SOIC-8-WB |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
NCD57090FDWR2G概述
NCx57090y、NCx57091y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器, 具有 5 kVrms 内部电流隔离, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 并根据引脚配置, 提供诸如有源米勒钳位(A/D/F 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C/E 版本)等选项, 方便系统设计。 该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用宽体 SOIC - 8 封装。
NCD57090FDWR2G特性
暂无产品特性。
NCD57090FDWR2G应用领域
暂无应用领域。
