NCD57080CDR2G
IC
SOIC-8
可供量大可议
NCD57080CDR2G
NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器, 具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 并根据引脚配置, 为系统设计提供便利选项, 如有源米勒钳位(A 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C 版本)。 该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用窄体 SOIC - 8 封装。
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
2,575
货期
现货
NCD57080CDR2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 2575 |
NCD57080CDR2G概述
NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器, 具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 并根据引脚配置, 为系统设计提供便利选项, 如有源米勒钳位(A 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C 版本)。 该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用窄体 SOIC - 8 封装。
NCD57080CDR2G特性
暂无产品特性。
NCD57080CDR2G应用领域
暂无应用领域。
