NCD57080BDR2G

是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器， 具有 3.75kVrms 内部电流隔离， 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 该器件接受互补输入， 并根据引脚配置， 提供诸如有源米勒钳位（A 版）、负电源（B 版）和单独的高低（OUTH 和 OUTL）驱动器输出（C 版）等选项， 以方便系统设计。 驱动器可适应 3.3V 至 20V 的宽范围输入偏置电压和信号电平， 采用窄体 SOIC-8 封装。