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N32G032R8L7
自营可供
IC

LQFP-64(10x10)

N32G032R8L7

单片机(MCU/MPU/SOC) N32G032R8L7 LQFP-64(10x10)

品牌

Nations

封装

LQFP-64(10x10)

交期

现货

批次

26+

N32G032R8L7参数

封装LQFP-64(10x10)
品牌Nations(国民技术)
批次26+
CPU内核ARM Cortex-M0
CPU位数32 Bit
程序存储器类型FLASH
I/O数量56
振荡器类型内置+外置
工作温度-40℃~+105℃
商品名称采用32bit ARMCortex-M0内核, 集成多种接口和功能
包装方式托盘
商品类型单片机(MCU/MPU/SOC)
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存2,029
MOQ / SPQ1 / 1
CPU最大主频48MHz
程序存储容量64KB
RAM容量16KB
ADC(位数)12bit
工作电压1.8V~5.5V
功能特性上电复位(POR)
商品型号N32G032R8L7
单位个
商品重量0.00311

N32G032R8L7概述

单片机(MCU/MPU/SOC) N32G032R8L7 LQFP-64(10x10)

N32G032R8L7特性

  • 32位ARM Cortex-M0内核, 单周期硬件乘法指令
  • 最高主频48MHz
  • 高达64KByte片内Flash, 支持加密存储、多用户分区管理及数据保护, 支持硬件ECC校验, 10万次擦写次数, 10年数据保持
  • 16KByte片内SRAM, 支持硬件奇偶校验
  • Stop模式:RTC Run, 最大16KByte Retention SRAM保持, CPU寄存器保持, 所有IO保持
  • Power Down模式:支持3路IO唤醒
  • HSE:4MHz~20MHz外部高速晶体
  • LSE:32.768KHz外部低速晶体
  • HSI:内部高速RC OSC 8MHz
  • LSI:内部低速RC OSC 30KHz
  • 内置高速PLL
  • 支持1路时钟输出, 可配置为可配置系统时钟、HSE、HSI或PLL后分频输出
  • 支持上电/掉电/外部引脚复位
  • 支持可编程的低电压检测及复位
  • 支持看门狗复位
  • 6个U(S)ART接口, 最高速率达3Mbps, 其中2个USART接口(支持1xISO7816, 1xIrDA, LIN), 4个UART接口, 其中2路支持低功耗特性(LPUART, 此模式下最高通讯速率9600bps), 可唤醒Stop模式
  • 3个SPI接口, 速率高达12MHz, 其中1个与I2S复用
  • 2个I2C接口, 速率高达1MHz, 主从模式可配, 从机模式下支持双地址响应, 支持双电平通信:正常电平(信号电平与芯片VDD匹配)和低电平(芯片VDD 3.3V或5V, 信号电平1.8V)两种电平选择
  • 1个CAN 2.0总线接口
  • 1个12bit 1Msps高速ADC, 多达16路外部单端输入通道
  • 1个运算放大器, 内置最大32倍可编程增益放大
  • 3个高速模拟比较器, 内置64级可调比较基准
  • 多达24通道电容式触摸按键, 支持低功耗状态下唤醒
  • 最大支持56个支持复用功能的GPIOs
  • 1个高速8通道DMA控制器, 通道源地址及目的地址任意可配
  • RTC实时时钟, 支持闰年万年历, 闹钟事件, 周期性唤醒, 支持内外部时钟校准
  • 2路蜂鸣器, 支持互补输出, 驱动能力最大16mA
  • 2个16bit高级定时计数器, 支持输入捕获, 互补输出, 正交编码输入等功能
  • 每个定时器有4个独立的通道, 其中3个通道支持6路互补PWM输出
  • 2个16bit通用定时计数器, 每个定时器有4个独立通道, 支持输入捕获/输出比较/PWM输出
  • 1个16bit基础定时计数器
  • 1个16bit低功耗定时计数器
  • 1x 24bit SysTick
  • 1x 7bit窗口看门狗(WWDG)
  • 1x 12bit独立看门狗(IWDG)
  • 支持SWD在线调试接口
  • 支持UART Bootloader
  • 硬件除法器HDIV和均方根SQRT加速
  • 内置密码算法硬件加速引擎支持AES、SM4算法
  • Flash存储加密多用户分区管理(MMU)
  • TRNG真随机数发生器
  • CRC16/32运算
  • 支持写保护(WRP), 多种读保护(RDP)等级(L0/L1/L2)
  • 支持时钟失效监测, 防拆监测
  • 工作电压范围:1.8V~5.5V
  • 工作温度范围:-40°C~105°C
  • ESD:±4KV(HBM模型), ±1KV(CDM模型)

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