N01S830BAT22I

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件， 其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器， 内部组织为 128 K 个词， 每个词 8 位。 此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造， 具有高速和低功耗性能。 此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行， 并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。 在 SPI 模式中， 单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。 在双模式下， 使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行， 在四路模式下， 使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。 此类器件可在? 40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行， 采用 8 引线 TSSOP 封装。 N01S830xA 器件有两个不同的版本， HOLD 版本允许暂停与器件的通信， 而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池， 用于在断电时保留数据。