MX5114T
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
MX5114T
MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET， 或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。 凭借强大的灌电流能力， MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。 MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET 所需的特性
品牌
Wuxi Maxinmicro
封装
SOT-23-6L
库存
4
货期
现货
MX5114T参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微) |
| 批次 | 25+ |
| 驱动配置 | 低边 |
| 工作电压 | 4V~18V |
| 下降时间(tf) | 6ns |
| 传播延迟 tpHL | 10ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~1.5V |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET |
| 上升时间(tr) | 6ns |
| 传播延迟 tpLH | 15ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.4V |
| 静态电流(Iq) | 70uA |
MX5114T概述
MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET， 或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。 凭借强大的灌电流能力， MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。 MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET 所需的特性
MX5114T特性
暂无产品特性。
MX5114T应用领域
暂无应用领域。