MVGSF1N03LT1G-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID）， 适用于中低功率电路设计。 导通电阻（RDON）为86毫欧， 能够在较低电流条件下实现较为理想的导通性能， 减少能量损耗。 该器件常用于便携式电子设备、小型电源模块、信号切换电路以及各类智能控制板卡中， 为系统提供可靠的开关控制与稳定的电气表现。