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MVGSF1N02L-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

MVGSF1N02L-HXY

这款N型场效应管具有2.3A的电流承载能力, 最高20V的工作电压, 以及48mR的典型内阻。 其VGS为12V, 适用于需要较高电流和电压的应用场景。 该元器件具有优异的性能表现, 可确保系统的稳定运行, 适用于多种电子设备中, 包括但不限于家用电器、便携式设备和各类控制系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

20

货期

现货

MVGSF1N02L-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存20

MVGSF1N02L-HXY概述

这款N型场效应管具有2.3A的电流承载能力, 最高20V的工作电压, 以及48mR的典型内阻。 其VGS为12V, 适用于需要较高电流和电压的应用场景。 该元器件具有优异的性能表现, 可确保系统的稳定运行, 适用于多种电子设备中, 包括但不限于家用电器、便携式设备和各类控制系统。

MVGSF1N02L-HXY特性

暂无产品特性。

MVGSF1N02L-HXY应用领域

暂无应用领域。

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