MUN5331DW1T1G
IC
SOT-363
可供量大可议
MUN5331DW1T1G
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管, 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。 使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
Brand
onsemi
Package
SOT-363
Stock
10
货期
现货
MUN5331DW1T1GParameters
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
MUN5331DW1T1G概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管, 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。 使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
MUN5331DW1T1G特性
暂无产品特性。
MUN5331DW1T1G应用领域
暂无应用领域。
