MUN5315DW1T1G
IC
SC-88-6(SC-70-6)
可供量大可议
MUN5315DW1T1G
MUN5315DW1T1G
品牌
onsemi
封装
SC-88-6(SC-70-6)
库存
775
货期
现货
MUN5315DW1T1G参数
| 封装 | SC-88-6(SC-70-6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 256mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 商品名称 | MUN5315DW1T1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 数字晶体管 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 775 |
| 数量 | 1个NPN-预偏置, 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 商品型号 | MUN5315DW1T1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
MUN5315DW1T1G概述
该系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管， 即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。 BRT通过将这些独立组件集成到单个器件中， 从而省去了它们。 使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。
MUN5315DW1T1G特性
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准
MUN5315DW1T1G应用领域
暂无应用领域。