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MUN5230DW1T1G
IC

SOT-363

可供量大可议

MUN5230DW1T1G

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管, 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中, 消除了这些组件。 使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

品牌

onsemi

封装

SOT-363

库存

5

货期

现货

MUN5230DW1T1G参数

封装SOT-363
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 5
分类数字晶体管
库存5

MUN5230DW1T1G概述

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管, 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中, 消除了这些组件。 使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

MUN5230DW1T1G特性

暂无产品特性。

MUN5230DW1T1G应用领域

暂无应用领域。

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