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MU2N7002T
IC

SOT-23

可供量大可议

MU2N7002T

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):3000mΩ

品牌

MP

封装

SOT-23

库存

350

货期

现货

MU2N7002T参数

封装SOT-23
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 50
分类场效应管(MOSFET)
库存350

MU2N7002T概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):3000mΩ

MU2N7002T特性

暂无产品特性。

MU2N7002T应用领域

暂无应用领域。

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