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MU0001D
IC

TO-252

可供量大可议

MU0001D

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):23mΩ

品牌

MP

封装

TO-252

库存

75

货期

现货

MU0001D参数

封装TO-252
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存75

MU0001D概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):23mΩ

MU0001D特性

暂无产品特性。

MU0001D应用领域

暂无应用领域。

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