MTP10N25-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
MTP10N25-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适合于中等功率模块和一般工业应用。 TO220； N—Channel沟道, 250V； 14A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
40
货期
现货
MTP10N25-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 250V |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:250V |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
| 商品型号 | MTP10N25-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.002 |
MTP10N25-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适合于中等功率模块和一般工业应用。 TO220； N—Channel沟道, 250V； 14A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
MTP10N25-VB特性
- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS标准-提供N沟道MOSFET
MTP10N25-VB应用领域
暂无应用领域。