MTE2D4N06E3-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
MTE2D4N06E3-VB
TO220； N—Channel沟道, 60V； 210A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.9V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
53
货期
现货
MTE2D4N06E3-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 53 |
MTE2D4N06E3-VB概述
TO220； N—Channel沟道, 60V； 210A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.9V
MTE2D4N06E3-VB特性
暂无产品特性。
MTE2D4N06E3-VB应用领域
暂无应用领域。