MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
IC
TFBGA-200
可供量大可议
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V； 标称值 1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V； 标称值 1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V； 标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V； 标称值 1.10V。 频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）
品牌
micron
封装
TFBGA-200
库存
38
货期
现货
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B参数
| 封装 | TFBGA-200 |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 38 |
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B概述
特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V； 标称值 1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V； 标称值 1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V； 标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V； 标称值 1.10V。 频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B特性
暂无产品特性。
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B应用领域
暂无应用领域。