MT53E256M32D2DS-053 WT:B
IC
VFBGA-200
可供量大可议
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
特性：超低电压核心和 I/O 电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V， 标称值 1.80V； VDD2(overline) = 1.06-1.17V， 标称值 1.10V； VDDQ(overline) = 1.06-1.17V， 标称值 1.10V 或低 VDDQ(overline) = 0.57-0.65V， 标称值 0.60V。 频率范围 2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/pin）。 16n 预取 DDR 架构。 每通道 8 个内部存储体， 用于并发操作
品牌
micron
封装
VFBGA-200
库存
10
货期
现货
MT53E256M32D2DS-053 WT:B参数
| 封装 | VFBGA-200 |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 10 |
MT53E256M32D2DS-053 WT:B概述
特性：超低电压核心和 I/O 电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V， 标称值 1.80V； VDD2(overline) = 1.06-1.17V， 标称值 1.10V； VDDQ(overline) = 1.06-1.17V， 标称值 1.10V 或低 VDDQ(overline) = 0.57-0.65V， 标称值 0.60V。 频率范围 2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/pin）。 16n 预取 DDR 架构。 每通道 8 个内部存储体， 用于并发操作
MT53E256M32D2DS-053 WT:B特性
暂无产品特性。
MT53E256M32D2DS-053 WT:B应用领域
暂无应用领域。