MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
IC
BGA-200(14.5x10)
可供量大可议
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
特性：超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V； 标称 1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V； 标称 1.10V。 VDDQ = 1.06-1.17V； 标称 1.10V 或低 VDDQ = 0.57-0.65V； 标称 0.60V
品牌
micron
封装
BGA-200(14.5x10)
库存
1
货期
现货
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B参数
| 封装 | BGA-200(14.5x10) |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 1 |
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B概述
特性：超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V； 标称 1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V； 标称 1.10V。 VDDQ = 1.06-1.17V； 标称 1.10V 或低 VDDQ = 0.57-0.65V； 标称 0.60V
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B特性
暂无产品特性。
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B应用领域
暂无应用领域。