MT53D512M32D2DS-046 WT:D
IC
WFBGA-200(10x14.5)
可供量大可议
MT53D512M32D2DS-046 WT:D
特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称1.80V）， VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称1.10V）， VDDQ(overline) = 1.10V（标称）或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V（标称0.60V）。 频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/Pin）。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体， 可并发操作
品牌
micron
封装
WFBGA-200(10x14.5)
库存
6
货期
现货
MT53D512M32D2DS-046 WT:D参数
| 封装 | WFBGA-200(10x14.5) |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 6 |
MT53D512M32D2DS-046 WT:D概述
特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称1.80V）， VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称1.10V）， VDDQ(overline) = 1.10V（标称）或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V（标称0.60V）。 频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/Pin）。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体， 可并发操作
MT53D512M32D2DS-046 WT:D特性
暂无产品特性。
MT53D512M32D2DS-046 WT:D应用领域
暂无应用领域。