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MT47H64M8SH-25E:H
IC

FBGA-60

可供量大可议

MT47H64M8SH-25E:H

特性:VDD = 1.8V ± 0.1V, VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS, DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms, 8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 工业温度(IT)选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范

品牌

micron

封装

FBGA-60

库存

1

货期

现货

MT47H64M8SH-25E:H参数

封装FBGA-60
品牌micron(美光)
MOQ / SPQ1 / 1
分类DDR SDRAM
库存1

MT47H64M8SH-25E:H概述

特性:VDD = 1.8V ± 0.1V, VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS, DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms, 8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 工业温度(IT)选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范

MT47H64M8SH-25E:H特性

暂无产品特性。

MT47H64M8SH-25E:H应用领域

暂无应用领域。

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