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MT47H64M16NF-25E:M
IC

FBGA-84(8x12.5)

可供量大可议

MT47H64M16NF-25E:M

1Gb DDR2 SDRAM, 支持4n位预取架构, 具有差分时钟输入和输出数据同步功能。 提供8个内部存储库以实现并发操作, 支持可编程的读写突发长度。 工作电压为1.8V ± 0.1V。

品牌

micron

封装

FBGA-84(8x12.5)

库存

17

货期

现货

MT47H64M16NF-25E:M参数

封装FBGA-84(8x12.5)
品牌micron(美光)
MOQ / SPQ1 / 1
分类DDR SDRAM
库存17

MT47H64M16NF-25E:M概述

1Gb DDR2 SDRAM, 支持4n位预取架构, 具有差分时钟输入和输出数据同步功能。 提供8个内部存储库以实现并发操作, 支持可编程的读写突发长度。 工作电压为1.8V ± 0.1V。

MT47H64M16NF-25E:M特性

暂无产品特性。

MT47H64M16NF-25E:M应用领域

暂无应用领域。

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