MT47H64M16NF-25E IT:M
自营可供
IC
FBGA-84
MT47H64M16NF-25E IT:M
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA
品牌
micron
封装
FBGA-84
交期
现货
批次
19+
MT47H64M16NF-25E IT:M参数
| 封装 | FBGA-84 |
|---|---|
| 品牌 | micron(镁光) |
| 批次 | 19+ |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 1Gbit |
| 工作电流 | 60mA |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
| 存储器类型 | 易失性（Volatile） |
| 存储容量 | 1Gb (64M x 16) |
| 时钟频率 | 400MHz |
| 访问时间 | 400ps |
| 工作温度范围 | -40°C ~ 95°C |
| 封装类型 | 84-Pin FBGA (8x12.5 mm) |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 400MHz |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 刷新电流 | 2mA |
| 功能特性 | 自动预充电功能； 动态片上端接； 数据掩码功能 |
| 存储器格式 | DDR2 SDRAM |
| 存储器接口 | 串行接口 |
| 写周期时间 - 字， 页 | 15ns |
| 供电电压 | 1.7V ~ 1.9V |
| 安装类型 | 表面贴装型（SMD） |
MT47H64M16NF-25E IT:M概述
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA
MT47H64M16NF-25E IT:M特性
- 高性能: MT47H64M16NF-25E IT:M DDR2 SDRAM以其高达400MHz的时钟频率和15ns的写周期时间， 能够快速处理大容量数据， 是高性能计算的理想选择。
- 节能设计: 该器件的供电电压范围为1.7V至1.9V， 相较于传统DDR存储器而言， 在同等性能下大大降低了功耗， 适合用于便携式和低功耗设备。
- 可靠性: 本产品具备宽广的工作温度范围， 从-40°C至95°C， 确保其在多种环境条件下均能稳定工作， 适用于工业、汽车电子和其他严苛应用领域。
- 高集成度: 84-FBGA封装设计不仅提高了产品的集成度， 还降低了外部电路的复杂性， 有助于缩小设备体积。
- 易于集成: 表面贴装型的安装设计， 使得MT47H64M16NF-25E IT:M能够方便地集成到各种电路板中， 并且适用于自动化的制造过程。
MT47H64M16NF-25E IT:M应用领域
- MT47H64M16NF-25E IT:M 主要应用于下列领域
- 计算机和服务器: 用于DDR2 SDRAM内存模块， 支持高性能计算和多任务处理。
- 嵌入式系统: 在嵌入式应用中提供快速内存解决方案， 例如在工业控制、交通运输和医疗设备中广泛应用。
- 网络设备: 适用于路由器、交换机和防火墙等网络设备， 提供高带宽的数据缓存。
- 消费电子: 作为消费电子产品（如数字电视、游戏机和媒体播放器）中的内存组件， 提供流畅的多媒体体验。
- 汽车电子: 这款存储器能在高温和极端环境下保持稳定工作， 适合用于汽车信息娱乐系统及其他汽车电子设备。