MT47H32M16NF-25E AAT:H
IC
FBGA-84
可供量大可议
MT47H32M16NF-25E AAT:H
特性：VDD = 1.8V ± 0.1V， VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS， DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS与CK转换对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟（CL）。 后置CAS附加延迟（AL）。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度：4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms， 8192周期刷新。 片上终端（ODT）。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范。 AEC-Q100。 PPAP提交。 8D响应时间
品牌
micron
封装
FBGA-84
库存
5
货期
现货
MT47H32M16NF-25E AAT:H参数
| 封装 | FBGA-84 |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 5 |
MT47H32M16NF-25E AAT:H概述
特性：VDD = 1.8V ± 0.1V， VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS， DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS与CK转换对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟（CL）。 后置CAS附加延迟（AL）。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度：4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms， 8192周期刷新。 片上终端（ODT）。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范。 AEC-Q100。 PPAP提交。 8D响应时间
MT47H32M16NF-25E AAT:H特性
暂无产品特性。
MT47H32M16NF-25E AAT:H应用领域
暂无应用领域。