MT47H128M8SH-25E:M
自营可供
IC
FBGA-60
MT47H128M8SH-25E:M
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin FBGA
品牌
micron
封装
FBGA-60
交期
现货
批次
21+
MT47H128M8SH-25E:M参数
| 封装 | FBGA-60 |
|---|---|
| 品牌 | micron(镁光) |
| 批次 | 21+ |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 1Gbit |
| 工作电流 | 75mA |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 400MHz |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 刷新电流 | 7mA |
| 功能特性 | 自动预充电功能； 动态片上端接； 数据掩码功能 |
MT47H128M8SH-25E:M概述
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin FBGA
MT47H128M8SH-25E:M特性
- 存储器类型与技术： MT47H128M8SH-25E:M 属于易失性存储器， 它使用DDR2 SDRAM技术， 这种技术相较于传统的SDRAM在数据传输率上有显著提升， 因此适合高速应用。
- MT47H128M8SH-25E:M 属于易失性存储器， 它使用DDR2 SDRAM技术， 这种技术相较于传统的SDRAM在数据传输率上有显著提升， 因此适合高速应用。
- 存储容量与结构： 该芯片提供1Gb的存储容量， 采用128M x 8位的架构， 适合各种需要较大内存的应用场景。
- 该芯片提供1Gb的存储容量， 采用128M x 8位的架构， 适合各种需要较大内存的应用场景。
- 性能参数： 时钟频率达400MHz， 能够提供较快的数据访问速度。 其访问时间仅为400ps， 极大地缩短了内存操作周期。 写周期时间为15ns， 确保了在高负载下， 数据能被及时写入， 有效提升了系统的响应性能。
- 时钟频率达400MHz， 能够提供较快的数据访问速度。 其访问时间仅为400ps， 极大地缩短了内存操作周期。
- 写周期时间为15ns， 确保了在高负载下， 数据能被及时写入， 有效提升了系统的响应性能。
- 供电和工作环境： 工作电压范围为1.7V至1.9V， 1.8V为典型值， 使其能在低功耗环境下稳定运行。 这一电压水平有助于延长系统的续航时间， 尤其在移动设备的应用中表现出色。 工作温度范围广泛， 可在0°C至85°C的环境中正常工作， 适应多种工业和消费电子的使用情境。
- 工作电压范围为1.7V至1.9V， 1.8V为典型值， 使其能在低功耗环境下稳定运行。 这一电压水平有助于延长系统的续航时间， 尤其在移动设备的应用中表现出色。
- 工作温度范围广泛， 可在0°C至85°C的环境中正常工作， 适应多种工业和消费电子的使用情境。
- 封装与安装： 采用60-Pin FBGA封装（8x10mm）， 该表面贴装型设计使得其在电路板上的安装更加方便， 并能有效减少占用空间， 符合现代电子设备设计的紧凑需求。
- 采用60-Pin FBGA封装（8x10mm）， 该表面贴装型设计使得其在电路板上的安装更加方便， 并能有效减少占用空间， 符合现代电子设备设计的紧凑需求。
- 适用领域： MT47H128M8SH-25E:M 的高性能和可靠性使其适用于多种不同的应用， 包括但不限于个人计算机领域、网络设备、游戏机、工业控制系统以及汽车电子领域。 其优秀的性能参数确保了在高速数据处理时的稳定性， 满足高带宽、高频率数据传输的需求。
- MT47H128M8SH-25E:M 的高性能和可靠性使其适用于多种不同的应用， 包括但不限于个人计算机领域、网络设备、游戏机、工业控制系统以及汽车电子领域。 其优秀的性能参数确保了在高速数据处理时的稳定性， 满足高带宽、高频率数据传输的需求。
MT47H128M8SH-25E:M应用领域
- 使用MT47H128M8SH-25E:M的设备能够受益于该存储器的高带宽和低功耗特性。 对于需要快速内存响应和处理能力的应用， DDR2技术提供的双倍数据速率， 实现了较高的数据通道带宽。 其在现代电子设计中所带来的优势， 特别是在性能与功耗之间的平衡， 使其成为许多设计工程师的优选元件。