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MT47H128M8SH-25E IT:M
IC

FBGA-60(8x10)

可供量大可议

MT47H128M8SH-25E IT:M

1Gb DDR2 SDRAM, 支持4n位预取架构, 具有差分时钟输入和输出数据同步功能。 提供8个内部存储库以实现并发操作, 支持可编程的读写突发长度。 工作电压为1.8V ± 0.1V。

品牌

micron

封装

FBGA-60(8x10)

库存

54

货期

现货

MT47H128M8SH-25E IT:M参数

封装FBGA-60(8x10)
品牌micron(美光)
MOQ / SPQ1 / 1
分类DDR SDRAM
库存54

MT47H128M8SH-25E IT:M概述

1Gb DDR2 SDRAM, 支持4n位预取架构, 具有差分时钟输入和输出数据同步功能。 提供8个内部存储库以实现并发操作, 支持可编程的读写突发长度。 工作电压为1.8V ± 0.1V。

MT47H128M8SH-25E IT:M特性

暂无产品特性。

MT47H128M8SH-25E IT:M应用领域

暂无应用领域。

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