MT47H128M16RT-25E:C
IC
FBGA-84(9x12.5)
可供量大可议
MT47H128M16RT-25E:C
特性:VDD = 1.8V±0.1V, VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS, DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可编程突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms, 8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 工业温度(IT)选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范
品牌
micron
封装
FBGA-84(9x12.5)
库存
11
货期
现货
MT47H128M16RT-25E:C参数
| 封装 | FBGA-84(9x12.5) |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 11 |
MT47H128M16RT-25E:C概述
特性:VDD = 1.8V±0.1V, VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS, DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可编程突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms, 8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 工业温度(IT)选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范
MT47H128M16RT-25E:C特性
暂无产品特性。
MT47H128M16RT-25E:C应用领域
暂无应用领域。
